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      FEMTO超快速光接收器HSA-X和HSPR-X系列

      FEMTO超快速光接收器HSA-X和HSPR-X系列

      簡要描述:
      FEMTO超快速光接收器HSA-X和HSPR-X系列
      ? 硅和砷化銦鎵光電二極管
      ?波長范圍從320到1700nm
      ?帶寬從10 kHz到2 GHz
      ?Z大變頻增益4.5×103 V/W
      ?Z小噪聲等效功率14 pW/√Hz

      更新時間:2023-11-13

      訪問量:980

      廠商性質:生產廠家

      生產地址:德國

      FEMTO超快速光接收器HSA-X和HSPR-X系列

      特征

      • Si-PIN 和 InGaAs-PIN 光電二極管

      • 波長范圍從 320 到 1700 nm

      • 從 10 kHz 到 2 GHz 的超寬帶寬

      • zui大限度。轉換增益 4.75 x 10 3  V/W

      • MIN.NEP 11 pW / √Hz


      GHZ 技術

      通過將xian進的光電二極管與經過驗證的出色 FEMTO GHz 放大器技術相結合,我們設計了具有zhuo越性能的新型光接收器系列。HSPR-X 和 HSA-XS 的帶寬上限為 2 GHz。具有快速 Si-PIN 或 InGaAs-PIN 光電二極管的兩種型號分別覆蓋 320 至 1000 nm 和 900 至 1700 nm 的光譜范圍。由于復雜的放大器設計,zui小 NEP 僅為 11 pW/√Hz,跨阻抗為 5 x 10 3  V/A。這允許以 GHz 速度測量 µW 范圍內的光功率電平。


      兼容光學平臺(自由空間)和光纖

      自由空間輸入設計為帶螺紋耦合環 (FST) 的 1.035"-40 螺紋法蘭或不帶螺紋 (FS) 的 25 mm 圓形法蘭。這兩種類型均可與來自不同制造商的光學配件廣泛兼容,例如透鏡、管、籠式系統、光學適配器等

      。只需擰上 PRA 系列的光纖適配器,即可輕松地將 FST 自由空間輸入轉換為光纖連接(FC、FSMA)。

      相對大面積的探測器有助于在自由空間應用中進行光學聚焦,并在使用可選的光纖適配器時確保高度穩定的耦合。對于探測器面積小于 ? 0.4 mm 的型號,建議僅在有限范圍內使用光纖適配器,因為可能會發生耦合損耗和不穩定。如果重點是高精度光纖測量,則使用具有固定光纖輸入的 FC 模型通常會獲得更好的結果。


      應用

      • 光譜學

      • 快速脈沖和瞬態測量

      • 光觸發

      • 用于示波器和 A/D 轉換器的光學前端(O/E 轉換器)





      FEMTO超快速光接收器HSA-X和HSPR-X系列選型參數

      楷模

      HSA-XS-1G4-SI-FST

      HSA-XS-1G4-SI-FS

      HSA-XS-1G4-SI-FC

      HSPR-XI-1G4-SI-FST

      HSPR-XI-1G4-SI-FS

      HSPR-XI-1G4-SI-FC

      HSA-XS-2G-IN-FST

      HSA-XS-2G-IN-FS

      HSA-XS-2G-IN-FC

      HSPR-XI-2G-IN-FST

      HSPR-XI-2G-IN-FS

      HSPR-XI-2G-IN-FC

      輸出同相反相同相反相
      光電二極管? 0.4 mm Si-PIN? 0.4 mm Si-PIN? 0.1 mm InGaAs-PIN? 0.1 mm InGaAs-PIN
      光譜范圍320 – 1000 納米320 – 1000 納米900 – 1700 納米900 – 1700 納米
      帶寬 (?3 dB)10 kHz – 1.4 GHz10 kHz – 1.4 GHz10 kHz – 2 GHz10 kHz – 2 GHz

      上升/下降時間

      (10 % - 90 %)

      250 皮秒250 皮秒180 皮秒180 皮秒
      跨阻增益5×10 3 V/A

      5×10 3 V/A

      反相

      5×10 3 V/A

      5×10 3 V/A

      反相

      轉換增益

      2.55×10 3 V/W

      (@ 760 納米)

      2.55×10 3 V/W

      (@ 760 納米)

      4.75×10 3 V/W

      (@ 1550 納米)

      4.75×10 3 V/W

      (@ 1550 納米)

      NEP (@ 100 MHz)

      32 pW/√Hz

      (@ 760 納米)

      19 pW/√Hz

      (@ 760 納米)

      16 pW/√Hz

      (@ 1550 納米)

      11 pW/√Hz

      (@ 1550 納米)

      輸出駐波比2.5 : 11.4 : 12.5 : 11.4 : 1
      zui大輸出電壓@50Ω1.9V PP2.0 V PP1.9V PP2.0 V PP
      輸出噪聲3.6 毫伏有效值2.5 毫伏有效值3.6 毫伏有效值2.5 毫伏有效值





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